STP40NF20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 25А, 160Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 22 ns |
Forward Transconductance - Min | 30 S |
Height | 9.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 40 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 160 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
Rise Time | 44 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 74 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 4.6 mm |
Automotive | No |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 40 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 45@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 160000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 22 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 75 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 75@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2500@25V |
Typical Rise Time (ns) | 44 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 74 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 476 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.