STP11NK40Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
181 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Fall Time | 18 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.8 S |
| Height | 9.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rise Time | 20 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.6 mm |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | SuperMESH |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 32 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 32@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 930@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
...11NK40Z
pdf, 500 КБ
Datasheet
pdf, 772 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP
pdf, 746 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
