STD95N4F3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
600 руб.
от 2 шт. —
500 руб.
от 5 шт. —
434 руб.
от 10 шт. —
402.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 80A, 110W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 15 ns |
Height | 2.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 80 A |
Length | 6.6 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 110 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 mOhms |
Rise Time | 50 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 6.2 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
Power Dissipation | 110Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET III |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 80А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.4154 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 833 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.