STB30NF10T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
310 руб.
от 2 шт. —
220 руб.
от 5 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 100V, 35A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.038Ом |
Power Dissipation | 115Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 15А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 10 S |
Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 115 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 55 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
Rise Time: | 40 ns |
Series: | STB30NF10 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 115 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Width | 9.35mm |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.