STD65N55F3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
850 руб.
от 2 шт. —
730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 55V, 80A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):6.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Diss
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET F3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
