STS6NF20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
320 руб.
от 2 шт. —
230 руб.
от 5 шт. —
168 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.7V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 11.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 33 ns |
Время спада | 10 ns |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 5 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | STripFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STS6NF20V |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 27 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | SOIC-8 |
Ширина | 4 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
Width | 4mm |
Вес, г | 0.127 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.