STP20NM50FD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
2 440 руб.
от 2 шт. —
2 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 440 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™, полевой, 500В, 14А, Idm: 80А, 192Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 20 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 250@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 192000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -65~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 38 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 38@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1380@25V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
