Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCP16N60N

FCP16N60N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 690 руб.

от 2 шт. — 1 560 руб.

от 5 шт. — 1 450 руб.

от 10 шт. — 1 386.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 690 руб.

Номенклатурный номер: 8002981258

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

MOSFET,N CH,600V,16A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:134.4W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Id Max:16A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2170pF @ 100V
Manufacturer	ON Semiconductor
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	134.4W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	199mOhm @ 8A, 10V
Series	SupreMOSв(ў
Supplier Device Package	TO-220-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	3.12