FDB070AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 175Вт, D2PAK, PowerTrench®

FDB070AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 175Вт, D2PAK, PowerTrench®
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
360 руб.
от 4 шт.230 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002521308
Артикул: FDB070AN06A0
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.67mm
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 80 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 175 W
Series PowerTrench
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 11.33mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Height 4.83mm
Maximum Drain Source Resistance 15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 51 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Вес, г 2.26

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах