STU1HN60K3, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 600В, 0,76А, 27Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
89 шт., срок 7 недель
210 руб.
от 5 шт. —
80 руб.
от 25 шт. —
62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 600В, 0,76А, 27Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 27 W |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 31 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | STU1HN60K3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Base Product Number | STU1HN60 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 600mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESH3в„ў -> |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
| Вес, г | 0.41 |
Техническая документация
Datasheet STU1HN60K3
pdf, 1441 КБ
Datasheet STU1HN60K3
pdf, 1425 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
