FDB035AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK, PowerTrench®

Фото 2/2 FDB035AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK, PowerTrench®
Фото 1/2 FDB035AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK, PowerTrench®
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
359 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
670 руб.
от 2 шт.470 руб.
от 5 шт.445 руб.
от 9 шт.427.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002539466
Артикул: FDB035AN06A0
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.67mm
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 80 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 310 W
Series PowerTrench
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 11.33mm
Height 4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Drain Source Resistance 7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 95 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки 80 A
Pd - рассеивание мощности 310 W
Qg - заряд затвора 124 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 93 ns
Время спада 13 ns
Высота 4.83 mm
Длина 10.67 mm
Другие названия товара № FDB035AN06A0_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия FDB035AN06A0
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 38 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.65 mm
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet FDB035AN06A0
pdf, 959 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах