FDB035AN06A0, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 510 руб.

от 5 шт. — 1 180 руб.

от 25 шт. — 964 руб.

от 100 шт. — 874.07 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 510 руб.

Номенклатурный номер: 8002539466

Артикул: FDB035AN06A0

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	310 W
Qg - заряд затвора	124 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	93 ns
Время спада	13 ns
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Другие названия товара №	FDB035AN06A0_NL
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	PowerTrench
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Серия	FDB035AN06A0
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	38 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
Вес, г	1.312

pdf, 959 КБ

Мы рекомендуем