FDD10AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 135Вт, DPAK, PowerTrench®

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

590 руб.

от 5 шт. — 470 руб.

от 25 шт. — 363 руб.

от 100 шт. — 306.68 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 590 руб.

Номенклатурный номер: 8002540904

Артикул: FDD10AN06A0

Полевые МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	32 ns
Id - Continuous Drain Current:	50 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	DPAK-3
Part # Aliases:	FDD10AN06A0_NL
Pd - Power Dissipation:	135 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	37 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	9.4 mOhms
Rise Time:	79 ns
Series:	FDD10AN06A0
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	PowerTrench
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	32 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.937