FDD3672, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA

Фото 1/2 FDD3672, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
от 5 шт.390 руб.
от 25 шт.294 руб.
от 100 шт.248.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002545441
Артикул: FDD3672

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case DPAK
Drain current 44A
Drain-source voltage 100V
Gate charge 36nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer ONSEMI
Mounting SMD
On-state resistance 68mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 135W
Technology UltraFET®
Type of transistor N-MOSFET
Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 6.5(A)
Drain-Source On-Volt 100(V)
Gate-Source Voltage (Max) '±20(V)
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 175C
Operating Temperature Classification Military
Package Type DPAK
Packaging Tape and Reel
Pin Count 2+Tab
Polarity N
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Вес, г 0.538

Техническая документация

Datasheet
pdf, 504 КБ
Документация
pdf, 521 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов