FDD306P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -6,7А, 52Вт, TO252/DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

370 руб.

от 5 шт. — 220 руб.

от 25 шт. — 172 руб.

от 100 шт. — 136.11 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.

Номенклатурный номер: 8002565162

Артикул: FDD306P

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -6,7А, 52Вт, TO252/DPAK Характеристики

Case	DPAK
Drain current	-6.7A
Drain-source voltage	-12V
Gate charge	21nC
Gate-source voltage	±8V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
On-state resistance	90mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	52W
Technology	PowerTrench®
Type of transistor	P-MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6.7 A
Maximum Drain Source Resistance	90 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	12 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	52 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Width	6.22mm
Вес, г	0.605