FDD86102LZ, N-Channel MOSFET, 8 A, 100 V, 3-Pin DPAK FDD86102LZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 250 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 35А, 54Вт, DPAK, PowerTrench® Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 54 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Width | 6.22mm |
Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
Pd - рассеивание мощности | 54 W |
Qg - заряд затвора | 26 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 31 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FDD86102LZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов