STB13N60M2, Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 110Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
874 шт. со склада г.Москва, срок 13 дней
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 15 шт. —
160 руб.
от 30 шт. —
141 руб.
от 59 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 110Вт
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263)type A | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 9.5 ns | |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-263-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 110 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 17 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms | |
| Rise Time | 10 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | MDmesh M2 | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 9.5 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-263-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms | |
| Rise Time: | 10 ns | |
| Series: | STB13N60M2 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Описание | 600V, 11A N-Channel MOSFET | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*40*51/500 | |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. | |
| Вес, г | 1.57 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
