FDC6306P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
118 руб.
от 24 шт. —
104.84 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, 20V, 1.9A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.127ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 170@4.5V mOhm |
| Typical Fall Time | 3 ns |
| Typical Rise Time | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.127Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3 nC 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.9 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6306P_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 4.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | FDC6306P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 61 КБ
Datasheet
pdf, 321 КБ
Datasheet FDC6306P
pdf, 158 КБ
Datasheet FDC6306P
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
