FDC6420C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 2 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
154 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N/P-МОП, полевой, 20/-20В, 3/-2,2А, 0,9Вт SOT6
Технические параметры
| Корпус | SuperSOT-6 | |
| Монтаж | SMD | |
| Мощность | 0.9Вт | |
| Напряжение затвор-исток | ±12В | |
| Напряжение сток-исток | 20/-20В | |
| Полярность | полевой | |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR(FAIRCHILD) | |
| Сопротивление в открытом состоянии | 70/125мОм | |
| Тип транзистора | N/P-MOSFET | |
| Ток стока | 3/-2.2А | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N, P | |
| Forward Diode Voltage | 1.2V | |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A, 3 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 106 mΩ, 190 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | SSOT-6 | |
| Pin Count | 6 | |
| Series | PowerTrench | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.3 nC @ 4.5 V, 3.7 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.7mm | |
| Brand: | onsemi/Fairchild | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Dual | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 7 ns, 12 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S, 6 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A, 2.2 A | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 2 Channel | |
| Package / Case: | SSOT-6 | |
| Part # Aliases: | FDC6420C_NL | |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signals | |
| Qg - Gate Charge: | 4.6 nC, 3.7 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms | |
| Rise Time: | 7 ns, 12 ns | |
| Series: | FDC6420C | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | PowerTrench | |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 10 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 9 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV, 600 mV | |
| Вес, г | 0.047 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 216 КБ
FDC6420C
pdf, 102 КБ
Документация
pdf, 217 КБ
FDC6420C
pdf, 220 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
