FDD8444
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 2 шт. —
630 руб.
от 5 шт. —
555 руб.
от 10 шт. —
518.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-25; MOSFET, N CH, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:145A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 15 ns |
Height | 2.39 mm |
Id - Continuous Drain Current | 145 A |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 153 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.2 mOhms |
Rise Time | 78 ns |
RoHS | Details |
Series | FDD8444 |
Technology | Si |
Tradename | PowerTrench |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Unit Weight | 0.009184 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 6.22 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 145 A |
Pd - рассеивание мощности | 153 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 78 ns |
Время спада | 15 ns |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FDD8444 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 48 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Вес, г | 0.564 |
Техническая документация
Datasheet FDD8444
pdf, 510 КБ
Документация
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов