FQP50N06L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 5 шт. —
302 руб.
от 10 шт. —
275.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 37,1А; Idm: 210А; 121Вт; TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 50 |
Fall Time | 145 ns |
Forward Transconductance - Min | 40 S |
Height | 16.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 52 A |
Length | 10.67 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 121 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 21 mOhms |
Rise Time | 380 ns |
RoHS | Details |
Series | FQP50N06L |
Technology | Si |
Tradename | QFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Unit Weight | 0.063493 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 4.7 mm |
Вес, г | 2.785 |
Техническая документация
Документация
pdf, 797 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов