FDD6637
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 2 шт. —
500 руб.
от 5 шт. —
429 руб.
от 10 шт. —
396.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор силовой биполярный
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 36 ns |
| Height | 2.39 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -55 A |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.6 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDD6637 |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Unit Weight | 0.009171 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -35 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Width | 6.22 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0097Ом |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 35В |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 57Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0097Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 35 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
