STB43N65M5

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

3 060 руб.

от 2 шт. — 2 870 руб.

от 5 шт. — 2 740 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 060 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003102558

Электроэлемент

Trans MOSFET N-CH 650V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

AEC Qualified Number	AEC-Q101
Automotive	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	5.5
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	0.63@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	650
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??25
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	5
Maximum Power Dissipation - (mW)	250000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3
Process Technology	MDmesh M5
Standard Package Name	TO-263
Supplier Package	D2PAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	100
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	100@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	4400@100V
Automotive Standard	AEC-Q101
Forward Diode Voltage	1.6V
Maximum Continuous Drain Current	7 A
Maximum Drain Source Resistance	630 mΩ
Maximum Gate Source Voltage	±25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	70 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	D2PAK(TO-263)
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 10 V
Width	9.35mm
Вес, г	2.645

pdf, 848 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем