STW26NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
789 шт., срок 7-9 недель
940 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
от 74 шт. —
900 руб.
от 209 шт. —
867 руб.
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 37 600 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой STW26NM60N от STMicroelectronics – мощный компонент для современной электроники, предназначенный для монтажа THT. Этот N-MOSFET обладает впечатляющим током стока в 12,6 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 600 В, что делает его идеальным выбором для высоконапряженных применений. С мощностью 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,135 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Всё это упаковано в прочный корпус TO247, обеспечивающий долговечность и стабильность. Используйте STW26NM60N для уверенной работы ваших электронных схем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 12.6 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.135 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 20A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 140W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 165mО© @ 10A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| кол-во в упаковке | 30 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 50 ns |
| Forward Transconductance - Min | 10 S |
| Height | 20.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Length | 15.75 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rise Time | 25 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 85 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Width | 5.15 mm |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*41*35/1500 |
| Упаковка | TUBE, 30 шт. |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 781 КБ
Datasheet STW26NM60N
pdf, 1160 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
