FCP11N60, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 420 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 11А, 125Вт, TO220, SuperFET® Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 50 |
Fall Time | 56 ns |
Forward Transconductance - Min | 9.7 S |
Height | 16.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Length | 10.67 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
Rise Time | 98 ns |
RoHS | Details |
Series | FCP11N60 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 119 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 34 ns |
Unit Weight | 0.063493 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 4.7 mm |
Case | TO220AB |
Drain current | 11A |
Drain-source voltage | 650V |
Gate charge | 52nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.38Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 125W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1946 КБ
Документация
pdf, 868 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары