STD3NK80Z-1, Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2475 шт., срок 6-8 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 230 шт.
от 422 шт. —
160 руб.
от 1196 шт. —
151 руб.
Добавить в корзину 230 шт.
на сумму 39 100 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Qg - заряд затвора | 19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 40 ns |
Высота | 6.2 mm |
Длина | 6.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.1 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STD3NK80Z-1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Ширина | 2.4 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 4.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 70 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | IPAK(TO-251) |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Width | 2.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары