STP13NK60ZFP, Транзистор полевой N-канальный 600В 13A

Фото 1/3 STP13NK60ZFP, Транзистор полевой N-канальный 600В 13A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
236 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 12 шт.210 руб.
от 23 шт.190 руб.
от 50 шт.182 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003617137
Артикул: STP13NK60ZFP
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 13A

Технические параметры

Корпус TO-220FP
Id - непрерывный ток утечки 13 A
Pd - рассеивание мощности 35 W
Qg - заряд затвора 66 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.75 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 14 ns
Время спада 12 ns
Высота 16.4 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperMESH
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 11 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP13NK60ZFP
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 61 ns
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Ширина 4.6 mm
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 50
Fall Time 12 ns
Forward Transconductance - Min 11 S
Height 16.4 mm
Id - Continuous Drain Current 13 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220FP-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 35 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 66 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 14 ns
RoHS Details
Series N-channel MDmesh
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 61 ns
Typical Turn-On Delay Time 22 ns
Unit Weight 0.01164 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.75 V
Width 4.6 mm
Вес, г 1.72

Техническая документация

Datasheet
pdf, 475 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.