STP13NK60ZFP, Транзистор полевой N-канальный 600В 13A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
236 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 12 шт. —
210 руб.
от 23 шт. —
190 руб.
от 50 шт. —
182 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 13A
Технические параметры
Корпус | TO-220FP | |
Id - непрерывный ток утечки | 13 A | |
Pd - рассеивание мощности | 35 W | |
Qg - заряд затвора | 66 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 14 ns | |
Время спада | 12 ns | |
Высота | 16.4 mm | |
Длина | 10.4 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | SuperMESH | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | STP13NK60ZFP | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 61 ns | |
Типичное время задержки при включении | 22 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 | |
Ширина | 4.6 mm | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 50 | |
Fall Time | 12 ns | |
Forward Transconductance - Min | 11 S | |
Height | 16.4 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 13 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220FP-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 35 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 66 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms | |
Rise Time | 14 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 61 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns | |
Unit Weight | 0.01164 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V | |
Width | 4.6 mm | |
Вес, г | 1.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 475 КБ
STB13NK60ZT4, STx13NK60Z, STP13NK60ZFP
pdf, 489 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.