SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт
24 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 недель
6 240 руб.
от 3 шт. —
5 080 руб.
от 10 шт. —
4 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 240 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-Channel 1200V 20A (Tc) 153W (Tc) Through Hole HiP247в„ў
Технические параметры
| Base Product Number | SCT20 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 200В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 153W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 239mOhm @ 10A, 20V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | HiP247в„ў |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet SCT20N120AG
pdf, 480 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
