SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 7 недель
5 880 руб.
от 3 шт. —
4 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 880 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 153Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Application | automotive industry |
| Case | HIP247™ |
| Drain current | 16A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 153W |
| Pulsed drain current | 45A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.4 |
Техническая документация
Datasheet SCT10N120AG
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
