SCTWA30N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 34А, Idm: 90А, 270Вт

SCTWA30N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 34А, Idm: 90А, 270Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 недель
8 850 руб.
от 3 шт.7 420 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 850 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003831625
Артикул: SCTWA30N120
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials.

Технические параметры

Base Product Number SCTWA30 ->
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Package Tube
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series *
Channel Mode Depletion
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 45 A
Maximum Drain Source Resistance 0.09 Ω
Maximum Drain Source Voltage 1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type HiP247
Pin Count 3
Transistor Material SiC
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet SCTWA30N120
pdf, 787 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.