SCTWA30N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 34А, Idm: 90А, 270Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 шт., срок 7 недель

10 320 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 320 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003831625

Артикул: SCTWA30N120

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 34А, Idm: 90А, 270Вт Характеристики

Channel Mode	Depletion
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	45 A
Maximum Drain Source Resistance	0.09 Ω
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	HiP247
Pin Count	3
Series	SCT
Transistor Material	SiC
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Id - Continuous Drain Current:	45 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+200 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	HiP-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	270 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	105 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	100 mOhms
Series:	SCTWA30N120
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	SiC
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage:	-10 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Вес, г	6.06