STL2N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
510 руб.
от 2 шт. —
410 руб.
от 5 шт. —
341 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 800V, 1.5A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):3.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; P
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 33W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 1A, 10V |
| Series | SuperMESH5™ |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | PowerFlat™(5x6) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Id - непрерывный ток утечки: | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 30 W |
| Qg - заряд затвора: | 3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 3.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | MDmesh |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | STL2N80K5 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3.7Ом |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.7Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet STL2N80K5
pdf, 1018 КБ
Datasheet STL2N80K5
pdf, 998 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
