STD8NF25
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
186 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 8A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.318ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 72 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 16 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 72 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 420 mOhms |
| Series: | STD8NF25 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.421 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 337 КБ
Datasheet STD8NF25
pdf, 348 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
