STL90N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
570 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 7.8 ns |
Id - Continuous Drain Current | 90 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | PowerFLAT-5x6-8 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 94 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 25 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.4 mOhms |
Rise Time | 17.6 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Tradename | STripFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 24.4 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0046Ом |
Power Dissipation | 94Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET F7 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 90А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
Maximum Drain Source Resistance | 5.4 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Power Dissipation | 94 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerFLAT 5x6 |
Pin Count | 8 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Width | 6.35mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 500 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 449 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 453 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.