STL90N6F7

Фото 1/4 STL90N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
570 руб.
от 2 шт.470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8004513062
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, POWERFLAT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 7.8 ns
Id - Continuous Drain Current 90 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case PowerFLAT-5x6-8
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 94 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 25 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 5.4 mOhms
Rise Time 17.6 ns
RoHS Details
Series N-channel STripFET
Technology Si
Tradename STripFET
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 24.4 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0046Ом
Power Dissipation 94Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET F7
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 90А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 94Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0046Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerFLAT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 90 A
Maximum Drain Source Resistance 5.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation 94 W
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type PowerFLAT 5x6
Pin Count 8
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 10 V
Width 6.35mm
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 500 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 449 КБ
Datasheet STL90N6F7
pdf, 453 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.