STD18N65M5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 9,4А, 110Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2185 шт., срок 7 недель
890 руб.
от 3 шт. —
830 руб.
от 10 шт. —
689 руб.
от 25 шт. —
588.46 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 9,4А, 110Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Drain current | 9.4A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 110W |
| Technology | SuperMesh™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.53 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1015 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
