STB100N10F7, MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
254 шт., срок 7-9 недель
850 руб.
от 10 шт. —
670 руб.
от 100 шт. —
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом DІPak
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns |
| Series: | STB100N10F7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 633 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
