STD130N4F6AG, MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ 80 A STripFET F6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6-8 недель
520 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
308 руб.
от 250 шт. —
264.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 19.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 143 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 70 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
Rise Time: | 62.5 ns |
Series: | STD130N4F6AG |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 19.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 786 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.