Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STU4N52K3, MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A ...

STU4N52K3, MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1844 шт., срок 7-9 недель

390 руб.

от 10 шт. — 290 руб.

от 100 шт. — 216 руб.

от 500 шт. — 172.05 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004584145

Артикул: STU4N52K3

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 525В, 2А, 45Вт, IPAK Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	11 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	525 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7 ns
Время спада	14 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	STU4N52K3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	21 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	SuperMESH 3
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	525
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4.5
Maximum Continuous Drain Current (A)	2.5
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	10000
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	2600@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	334@100V
Maximum Power Dissipation (mW)	45000
Typical Fall Time (ns)	14
Typical Rise Time (ns)	7
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	21
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Standard Package Name	TO-251
Supplier Package	IPAK
Pin Count	3
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	6.2(Max)
Package Length	6.6(Max)
Package Width	2.4(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Base Product Number	STU4N52 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	525V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	334pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6Ohm @ 1.25A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SuperMESH3в„ў ->
Supplier Device Package	I-PAK
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50ВµA
Вес, г	4