FDB2572, MOSFET N-Channel UltraFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 14 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SC-70-3 |
Part # Aliases: | FDB2572_NL |
Pd - Power Dissipation: | 135 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 34 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Series: | FDB2572 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 77 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов