Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDC653N, MOSFET SSOT-6 N-CH 30V

FDC653N, MOSFET SSOT-6 N-CH 30V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

от 10 шт. — 140 руб.

от 100 шт. — 101 руб.

от 500 шт. — 85.08 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004584528

Артикул: FDC653N

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	12 ns
Forward Transconductance - Min:	6.2 S
Id - Continuous Drain Current:	5 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SSOT-6
Part # Aliases:	FDC653N_NL
Pd - Power Dissipation:	1.6 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge:	17 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	35 mOhms
Rise Time:	12 ns
Series:	FDC653N
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	FET
Typical Turn-Off Delay Time:	13 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Lead Finish	Matte Tin
Max Processing Temp	260
Maximum Continuous Drain Current	5 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-55 to 150 °C
RDS-on	35@10V mOhm
Typical Fall Time	6 ns
Typical Rise Time	12 ns
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.5 ns
Case	SuperSOT-6
Drain current	5A
Drain-source voltage	30V
Gate charge	16nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
On-state resistance	56mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	1.6W
Technology	PowerTrench®
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.04