Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCMT250N65S3, MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm

FCMT250N65S3, MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 020 руб.

от 10 шт. — 820 руб.

от 25 шт. — 784 руб.

от 100 шт. — 623.05 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 020 руб.

Номенклатурный номер: 8004651454

Артикул: FCMT250N65S3

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзисторы SuperFET® III

onsemi-МОП-транзисторы SuperFET® III представляют собой высоковольтные полевые МОП-транзисторы с N-каналом Super-Junction (SJ), разработанные для удовлетворения требований высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникаций, серверов, зарядных устройств для электромобилей и солнечных батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитных помех, превосходную эффективность и превосходные тепловые характеристики, что делает их идеальным выбором для высокопроизводительных приложений. В дополнение к их рабочим характеристикам, широкий спектр вариантов корпусов, предлагаемых полевыми МОП-транзисторами SuperFET III, дает разработчикам продукции высокую гибкость, особенно в конструкциях с ограниченными размерами.

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки:	12 a
Pd - рассеивание мощности:	90 w
Qg - заряд затвора:	24 nc
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:	250 mohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:	650 v
Vgs - напряжение затвор-исток:	-30 v, +30 v
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	2.5 v
Вид монтажа:	smd/smt
Время нарастания:	13 ns
Время спада:	7.2 ns
Канальный режим:	enhancement
Категория продукта:	моп-транзистор
Количество каналов:	1 channel
Коммерческое обозначение:	superfet iii
Конфигурация:	single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:	7.4 s
Максимальная рабочая температура:	+150 c
Минимальная рабочая температура:	-55 c
Подкатегория:	mosfets
Полярность транзистора:	n-channel
Производитель:	onsemi
Размер фабричной упаковки:	3000
Серия:	superfet3
Технология:	si
Тип продукта:	mosfet
Типичное время задержки выключения:	40 ns
Типичное время задержки при включении:	15 ns
Торговая марка:	onsemi
Упаковка / блок:	power-88-4
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	250 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	90 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	Power88
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	24 nC @ 10 V
Width	8mm
Вес, г	0.16