NCD5702DR2G, Gate Drivers IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт. —
370 руб.
от 250 шт. —
314 руб.
от 500 шт. —
289.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\ИС для управления питанием\Драйверы для управления затвором
Драйверы для управления затвором IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.2 ns |
Время спада | 7.9 ns |
Выходной ток | 7.8 A |
Задержка распространения - макс. | 75 ns |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Количество выходов | 1 Output |
Количество драйверов | 1 Driver |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Максимальное время задержки включения | 75 ns |
Максимальное время задержки выключения | 75 ns |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 30 V |
Напряжение питания - мин. | 5 V |
Отключение | Shutdown |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
Рабочий ток источника питания | 900 uA |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип | High Side, Low Side |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOIC-16 |
Техническая документация
Datasheet NCD5702DR2G
pdf, 427 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем