NCD5702DR2G, Gate Drivers IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT

NCD5702DR2G, Gate Drivers IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт.370 руб.
от 250 шт.314 руб.
от 500 шт.289.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 420 руб.
Номенклатурный номер: 8004651888
Артикул: NCD5702DR2G

Описание

Полупроводниковые приборы\ИС для управления питанием\Драйверы для управления затвором
Драйверы для управления затвором IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 900 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9.2 ns
Время спада 7.9 ns
Выходной ток 7.8 A
Задержка распространения - макс. 75 ns
Категория продукта Драйверы для управления затвором
Количество выходов 1 Output
Количество драйверов 1 Driver
Максимальная рабочая температура + 125 C
Максимальное время задержки включения 75 ns
Максимальное время задержки выключения 75 ns
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение питания - макс. 30 V
Напряжение питания - мин. 5 V
Отключение Shutdown
Подкатегория PMIC - Power Management ICs
Продукт IGBT, MOSFET Gate Drivers
Рабочий ток источника питания 900 uA
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип High Side, Low Side
Тип продукта Gate Drivers
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOIC-16

Техническая документация

Datasheet NCD5702DR2G
pdf, 427 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем