STB140NF55T4, MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 7-9 недель
820 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
534 руб.
от 250 шт. —
530.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 55В 80A 300Вт 0,008Ом DІPak
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 45 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 142 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Rise Time: | 150 ns |
| Series: | STB140NF55 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 125 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
