STP20N90K5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ K5, полевой, 900В, 13А, Idm: 80А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт., срок 7 недель
1 350 руб.
от 10 шт. —
1 160 руб.
от 30 шт. —
1 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 350 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ K5, полевой, 900В, 13А, Idm: 80А Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 210 mOhms |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Series: | STP20N90K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 2.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 459 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
