Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCPF190N60, MOSFET SuperFET2, 190mohm

FCPF190N60, MOSFET SuperFET2, 190mohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 100 руб.

от 10 шт. — 850 руб.

от 50 шт. — 773 руб.

от 100 шт. — 620.62 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 100 руб.

Номенклатурный номер: 8004673840

Артикул: FCPF190N60

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор SuperFET2, 190mohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	20.2 A
Pd - рассеивание мощности	39 W
Qg - заряд затвора	74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	199 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	16.07 mm
Длина	10.36 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperFET II
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FCPF190N60
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.9 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Resistance	170 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	39 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220F
Pin Count	3
Series	SuperFET II
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	57 nC @ 10 V
Width	4.9mm
Вес, г	2.27