Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDC658AP, MOSFET -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch ...

FDC658AP, MOSFET -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

от 100 шт. — 96 руб.

от 500 шт. — 72.07 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.

Номенклатурный номер: 8004673859

Артикул: FDC658AP

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®

onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	12 ns
Forward Transconductance - Min:	8.4 S
Id - Continuous Drain Current:	4 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SSOT-6
Pd - Power Dissipation:	1.6 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	MOSFET Small Signals
Qg - Gate Charge:	8.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	44 mOhms
Rise Time:	12 ns
Series:	FDC658AP
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	PowerTrench
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	16 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	4 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	6
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	6 nC @ 5 V
Width	1.7mm
Case	SuperSOT-6
Drain current	-4A
Drain-source voltage	-30V
Features of semiconductor devices	logic level
Gate charge	8.1nC
Gate-source voltage	±25V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
On-state resistance	75mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	1.6W
Technology	PowerTrench®
Type of transistor	P-MOSFET
Вес, г	211