1EDN8511BXUSA1, Gate Drivers DRIVER IC

Фото 1/3 1EDN8511BXUSA1, Gate Drivers DRIVER IC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 100 шт.139 руб.
от 500 шт.114.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Номенклатурный номер: 8004722957
Артикул: 1EDN8511BXUSA1

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
1EDN751x/1EDN851x EiceDriver™ Gate Driver ICs
Infineon 1EDN751x/1EDN851x EiceDriver™ Gate Driver ICs are fast, precise, rugged, 1-channel, low-side 4/8A gate driver ICs designed to support standard-level MOSFETs, high-speed superjunction MOSFETs, as well as IGBTs and GaN Power devices.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Configuration: Inverting, Non-Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 4.5 ns
Logic Type: CMOS, TTL
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 25 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 25 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 1 Driver
Number of Outputs: 1 Output
Operating Supply Current: 400 uA
Output Current: 8 A
Package / Case: SOT-23-6-2
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: 1EDN8511B SP001891284
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Propagation Delay - Max: 25 ns
Rise Time: 6.5 ns
Series: 1EDN
Shutdown: No Shutdown
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 20 V
Supply Voltage - Min: 4.5 V
Technology: Si
Tradename: EiceDRIVER
Type: Low-Side
Fall Time 4.5ns
Logic Type CMOS
Output Current 8 A
Package Type PG-SOT23-6-2
Pin Count 6
Supply Voltage 4.2V
IC Case / Package SOT-23
Задержка Выхода 19нс
Задержка по Входу 19нс
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Низкая Сторона
Линейка Продукции EiceDRIVER 1EDN
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Стиль Корпуса Привода SOT-23
Тип переключателя питания GaN HEMT, IGBT, MOSFET
Ток истока
Ток стока
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1163 КБ
Datasheet
pdf, 697 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем