Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB20N95K5, MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A ...

STB20N95K5, MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2219 шт., срок 7-9 недель

2 180 руб.

от 10 шт. — 1 780 руб.

от 100 шт. — 1 390 руб.

от 500 шт. — 1 134.65 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 180 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827788

Артикул: STB20N95K5

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	17.5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	250 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	48 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	330 mOhms
Series:	STB20N95K5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	950 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	4