STB21N65M5, MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
868 шт., срок 7-9 недель
1 530 руб.
от 10 шт. —
1 190 руб.
от 25 шт. —
1 090 руб.
от 100 шт. —
869.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 530 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | Power Mosfet |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Вес, г | 3.95 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
