STB22NM60N, MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

Фото 1/2 STB22NM60N, MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1270 шт., срок 7-9 недель
840 руб.
от 1000 шт.650 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 840 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004827794
Артикул: STB22NM60N
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Id - Continuous Drain Current: 10 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-263-3
Pd - Power Dissipation: 125 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 44 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 220 mOhms
Series: STB22NM60N
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 16
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 220@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 125000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Obsolete
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology MDmesh II
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 38
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 44
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 44@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1330@50V
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 74
Typical Turn-On Delay Time (ns) 11
Вес, г 3.95

Техническая документация

Datasheet
pdf, 579 КБ
Datasheet
pdf, 607 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.