Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB24NM60N, MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A ...

STB24NM60N, MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

533 шт., срок 7-9 недель

1 750 руб.

от 10 шт. — 1 440 руб.

от 25 шт. — 1 360 руб.

от 100 шт. — 1 053.75 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 750 руб.

Номенклатурный номер: 8004827797

Артикул: STB24NM60N

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	17 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	46 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	168 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	16.5 ns
Время спада	37 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB24NM60N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-263-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	17 A
Maximum Drain Source Resistance	190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	MDmesh
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	46 nC @ 10 V
Width	10.4mm
Вес, г	4