Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB270N4F3, MOSFET N-Channel 40V Pwr Mosfet

STB270N4F3, MOSFET N-Channel 40V Pwr Mosfet

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2747 шт., срок 7-9 недель

1 310 руб.

от 10 шт. — 1 020 руб.

от 25 шт. — 798 руб.

от 100 шт. — 743.53 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 310 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827800

Артикул: STB270N4F3

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	45 ns
Id - Continuous Drain Current:	160 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-263-3
Pd - Power Dissipation:	330 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	150 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	2 mOhms
Rise Time:	180 ns
Series:	STB270N4F3
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	110 ns
Typical Turn-On Delay Time:	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	45 ns
Height	4.6 mm
Id - Continuous Drain Current	160 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	330 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	2 mOhms
Rise Time	180 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	110 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	9.35 mm
Вес, г	3.95