Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB30NF20, MOSFET N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET

STB30NF20, MOSFET N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

227 шт., срок 7-9 недель

700 руб.

от 10 шт. — 550 руб.

от 100 шт. — 414 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827810

Артикул: STB30NF20

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	8.8 ns
Id - Continuous Drain Current:	30 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	125 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	38 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	75 mOhms
Rise Time:	15.7 ns
Series:	STB30NF20
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	38 ns
Typical Turn-On Delay Time:	35 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	STripFET
Maximum Continuous Drain Current - (A)	30
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	75@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	200
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	125000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-263
Supplier Package	D2PAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	38
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	38@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1597@25V
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	D2PAK(TO-263)
Series	STripFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	38 nC @ 10 V
Width	9.35mm
Вес, г	4